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STL100N10F7  与  BSC077N12NS3 G  区别

型号 STL100N10F7 BSC077N12NS3 G
唯样编号 A3-STL100N10F7 A-BSC077N12NS3 G
制造商 STMicroelectronics Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT 系列:OptiMOS™
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.7mΩ@50A,10V
上升时间 - 8ns
漏源极电压Vds - 120V
Pd-功率耗散(Max) - 139W
Qg-栅极电荷 - 88nC
栅极电压Vgs - ±20V
正向跨导 - 最小值 - 40S
典型关闭延迟时间 - 26ns
封装/外壳 - 8-PowerTDFN
连续漏极电流Id - 98A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS™
长度 - 5.9mm
下降时间 - 7ns
典型接通延迟时间 - 15ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 5 - 7天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
STL100N10F7 STMicro  数据手册 功率MOSFET

暂无价格 6,000 当前型号
AON6220 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 100V 20V 48A 113.5W 6.2mΩ@10V

暂无价格 6,000 对比
AON6284A AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 80V 20V 48A 56W 6.5mΩ@10V

¥3.8462 

阶梯数 价格
1: ¥3.8462
100: ¥3.0612
1,000: ¥2.2059
1,500: ¥1.8987
3,000: ¥1.5
138 对比
IRFH5010TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 3.6W(Ta),250W(Tc) -55°C~150°C(TJ) 9mΩ@50A,10V N-Channel 100V 13A PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
AON6292 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 100V ±20V 85A 156W 6mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥12.5655 

阶梯数 价格
3,000: ¥12.5655
0 对比
BSC077N12NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

120V 98A 7.7mΩ@50A,10V ±20V 139W -55°C~150°C 8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比

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